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- 发布日期：2024-01-10 16:20 点击次数：147
2SK3075(TE12L，Q)
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请参阅产品规格
编号：
757-2SK3075TE12LQ
制造商编号：
2SK3075(TE12L，Q)
制造商：
Toshiba
Toshiba
客户编号:
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
数据表:
2SK3075(TE12L，Q) 数据表 (PDF)
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¥-.--
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¥-.--
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整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
剪切带
eel™ (+¥15.00)
定价 (含13% 增值税)数量 单价
总价
剪切带/eel™ † 1 ¥52.319 ¥52.32 10 ¥43.9344 ¥439.34 25 ¥41.4936 ¥1，037.34 100 ¥35.5498 ¥3，554.98 250 ¥33.6062 ¥8，401.55 500 ¥31.5722 ¥15，786.10 整卷卷轴（请按1000的倍数订购） 1，000 ¥27.007 ¥27，007.00 2，000 ¥25.3798 ¥50，759.60 5，000 报价
† ¥15.00 eel™费将被加上并在购物车计算。所有eel™订单均不可撤消和退回。 ↩
× 包装选择
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剪切带
产品从完整卷轴带切割成定制数量。
eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。
完整卷轴
订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按1000的倍数订购。
卷轴和剪切带
以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。
卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。
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规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Toshiba 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 5 A Vds-漏源极击穿电压: 30 V Rds On-漏源导通电阻: - 工作频率: 520 MHz 增益: 11.7 dB 输出功率: 7.5 W 最小工作温度: - 最大工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PW-X-4 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: eel 商标: Toshiba 配置: Single Pd-功率耗散: 20 W 产品类型: RF MOSFET Transistors 系列: 2SK3075 工厂包装数量: 工厂包装数量: 1000 子类别: MOSFETs 类型: RF Power MOSFET Vgs - 栅极-源极电压: 25 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V 单位重量: 300 mg
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产品合规性
CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8541210000 USHTS: 8541210075 JPHTS: 8541210101 KRHTS: 8541219000 TARIC: 8541210000 MXHTS: 85412101 ECCN: EAR99
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制造商零件编号
描述
库存
电子元器件采购网 Screw-on Mounting， Quick Connect Terminals 6.3 x 0.8 mm， IP40
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