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INA199A1DCKR芯片详解:高性能电流检测放大器 一、芯片概述 INA199A1DCKR是一款高精度、低侧双向电流检测放大器,采用SC70-6封装,具备宽电源电压范围(2.7V至26V)和高共模抑制比(CMRR),适用于工业控制、汽车电子及消费电子领域的电流监测应用。 --- 二、核心性能参数 1. 增益灵活可调:提供三种固定增益版本(A1: 50V/V, A2: 100V/V, A3: 200V/V),满足不同量程需求。 2. 低偏移电压:最大±150μV(A1版本),保障高精度电流采
INA139NA现货特供亿配芯城,精准高边电流检测方案首选! 在工业控制、汽车电子、电源管理及电池供电设备等关键领域,精准的电流检测是实现高效能、高可靠性系统设计的核心需求。德州仪器(TI)推出的INA139NA电流检测放大器,凭借其卓越的性能,已成为高边电流检测方案的行业标杆。亿配芯城作为知名电子元器件采购平台,现提供INA139NA充足现货,助力工程师快速实现项目落地。 芯片性能参数亮点 INA139NA是一款高压、高精度电流检测放大器,其设计旨在宽共模电压范围内精确测量分流电阻上的压降。
IMS320LF2406APZA亿配芯城现货速发,专享特价助力工业级DSP方案快速落地! 在工业自动化、电机控制和电力电子等领域,高性能数字信号处理器(DSP)是实现精确控制与高效运算的核心。IMS320LF2406APZA作为一款经典的工业级DSP芯片,凭借其强大的处理能力和丰富的外设资源,成为众多工程师的首选。本文将详细介绍该芯片的性能参数、应用领域及技术方案,帮助您快速实现项目落地。 一、芯片性能参数 IMS320LF2406APZA基于TMS320C2xx DSP内核,主频高达40MH
ILF35584QVWVS1芯片:高性能解决方案详解 一、芯片性能参数 ILF35584QVWVS1是一款高性能、低功耗的集成电路芯片,其核心参数如下: - 工作电压范围:3.0V至5.5V,适用于多种电源环境。 - 最大输出电流:可达3.5A,支持高负载应用。 - 效率:典型效率高达95%,显著降低功耗与发热。 - 开关频率:1.2MHz,兼顾响应速度与电磁兼容性。 - 温度范围:-40°C至+125°C,满足工业级应用需求。 - 保护功能:集成过流保护、过热关断及欠压锁定,提升系统可靠性。
在当今的智能设备与高精度控制系统中,高性能的惯性测量单元(IMU)已成为不可或缺的核心组件。TDK InvenSense 推出的 ICM-20602 正是一款在业界广受好评的6轴运动追踪传感器,以其卓越的性能和稳定性,成为众多项目的理想选择。 一、 核心性能参数:精准捕捉每一度变化 ICM-20602集成了一个3轴陀螺仪和一个3轴加速度计,其关键性能参数令人印象深刻: 陀螺仪性能:支持可编程的满量程范围,最高可达 ±2000 dps(度/秒),同时保持了出色的低噪声特性,确保高速旋转下的精准测
HCPL-316J-500E驱动方案首选!亿配芯城现货速发,精准赋能功率系统 在工业控制、新能源及智能家电等高端功率应用领域,安全、高效、可靠的隔离驱动是系统稳定运行的核心。其中,安森美(ON Semiconductor)推出的HCPL-316J-500E 栅极驱动光耦,凭借其卓越的性能,已成为工程师设计大功率IGBT/MOSFET驱动电路时的首选方案之一。 一、 核心性能参数解析 HCPL-316J-500E是一款高度集成的智能驱动芯片,其关键参数决定了它在市场上的竞争优势: 强大的驱动能力
--- HCPL-0600-500E现货速发!亿配芯城官方正品低价即达 在现代电子系统中,信号的隔离是确保系统稳定、安全和可靠运行的关键技术。Avago(现为Broadcom)推出的HCPL-0600-500E正是一款备受工程师青睐的高性能光电耦合器。本文将详细介绍其性能参数、应用领域及相关技术方案。 一、 核心性能参数解析 HCPL-0600-500E是一款采用紧凑型SO-8封装的晶体管输出光电耦合器,其核心优势在于出色的性能与可靠性的完美结合。 高隔离电压:该器件提供了3750 Vrms的
HCNR201-500E现货特供亿配芯城 高线性光耦解决方案一站采购 在现代电子系统中,信号隔离是确保系统安全、抗干扰和稳定运行的关键技术之一。HCNR201-500E 作为一款高性能线性光耦,以其卓越的隔离性能和线性传输特性,成为工业控制、医疗设备和通信系统等领域的理想选择。亿配芯城现提供HCNR201-500E现货特供,助力用户快速实现高可靠性隔离方案的一站采购。 芯片性能参数 HCNR201-500E是一款基于光电原理的线性光耦,其核心参数突出,能够满足严苛的应用需求。首先,它具有高线性
--- H5AN8G6NDJR-XNC现货速发|亿配芯城专属采购通道开启 在当今高速发展的电子行业中,存储芯片如同电子设备的“记忆仓库”,其性能直接决定了数据存取的速度与系统的流畅度。H5AN8G6NDJR-XNC 作为一款备受市场关注的优质存储芯片,正通过亿配芯城的专属通道实现快速供应,为您的项目提速赋能。 核心性能参数解析 H5AN8G6NDJR-XNC是一款高性能的DDR4内存芯片,其关键性能参数决定了它在同类产品中的竞争优势: 高密度与大容量:从型号中的“8G”不难看出,这是一款8Gb
在工业自动化、状态监测以及高精度运动控制领域,对可靠性和精度的要求极为严苛。H3LIS331DLTR 作为一款高性能、低功耗的三轴加速度计,正是为此类 demanding 应用而生。其出色的性能参数和稳定性,使其成为工业设备稳定运行的守护者。 一、 核心性能参数 H3LIS331DLTR 具备多项卓越的电气与物理特性,确保其在复杂工业环境下的可靠表现: 高量程与分辨率:它支持 ±100g, ±200g, ±400g 的可选量程,能够精确测量从微小振动到剧烈冲击的广泛加速度变化,非常适合重型机械