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标题:onsemi安森美STB1081SL3G芯片IGBT D2PAK 350V SPECIAL的技术与应用介绍 onsemi安森美半导体公司以其卓越的IGBT技术而闻名,STB1081SL3G芯片便是其中一款高性能产品。STB1081SL3G是一款D2PAK封装的350V IGBT,特别适用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的应用。 技术特性上,STB1081SL3G表现出了卓越的性能。它支持高达35A的栅极驱动电流,且在600V时的饱和电压低至每相4.5V,这使得它在高效率电源转换应用中具
标题:onsemi品牌NCP51530ADR2G芯片:HALF BRIDGE DRIVER 2A 8SOIC的技术与应用介绍 onsemi品牌的NCP51530ADR2G芯片是一款重要的电源管理IC,被广泛应用于各种电子设备中。HALF BRIDGE DRIVER 2A 8SOIC是这款芯片的一种封装形式,它具有高效率、低噪声和高可靠性等特点,能够为设备提供稳定的电源输出。 技术特性: 1. HALF BRIDGE设计:该芯片采用独特的HALF BRIDGE设计,能够在单端正向和反向电压之间实
标题:onsemi安森美MGP15N60U芯片IGBT,26A,600V,N-CHANNEL的技术与应用介绍 onsemi安森美半导体公司推出的MGP15N60U芯片IGBT是一种高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有26A的电流容量和600V的耐压。这款芯片具有出色的性能和可靠性,适用于各种电子设备中。 技术特点: 1. 高电流容量:MGP15N60U芯片能够承受高达600V的电压,具有26A的电流容量,能够满足各种电子设备的需要。 2. 高频率响应:该芯片具有较高的开关速度,能够在高频
标题:onsemi安森美NGD8205ANT4G芯片:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO的技术与应用介绍 安森美半导体(onsemi)的NGD8205ANT4G芯片是一款高性能的INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR,它以其独特的特性在电子行业中占据了重要的地位。接下来,我们将从技术特性和应用领域两个方面来详细介绍这款芯片。 技术特性: 1. 高效率:NGD8205ANT4G芯片具有高效率的特性,能够在低电压下实现高电流的传输,从而降低
标题:onsemi安森美TIG064E8-TL-H-ON芯片:N-CHANNEL IGBT技术与应用详解 onsemi安森美TIG064E8-TL-H-ON芯片是一款专为轻控制应用设计的N-CHANNEL IGBT。这款高效器件凭借其出色的性能和可靠性,在众多领域中发挥着重要作用。本文将深入探讨TIG064E8-TL-H-ON芯片的技术特点、应用领域以及实际应用案例,帮助读者更好地了解这一重要器件。 技术特点: 1. 高效率:TIG064E8-TL-H-ON芯片采用N-CHANNEL IGBT
标题:onsemi安森美NGB8204ANT4G芯片:绝缘栅双极晶体管技术与应用介绍 安森美半导体(onsemi)的NGB8204ANT4G芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),它集成了先进的功率MOSFET和双极性晶体管技术,具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关和低损耗等特性。 绝缘栅双极晶体管是一种新型的功率半导体器件,它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的电流控制能力,具有更高的开关速度和效率。NGB8204ANT4G芯片采用先进的栅极驱动技术,可以有效地减少开关损耗,
标题:onsemi安森美NGB8206ANSL3G芯片IGBT的技术和应用介绍 onsemi安森美NGB8206ANSL3G芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其技术特点和广泛应用领域令人瞩目。 首先,NGB8206ANSL3G芯片采用了先进的IGBT技术,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。这使得它在电力转换和控制领域具有广泛的应用前景。特别是在电力电子设备中,如逆变器、变频器、电机驱动器等,NGB8206ANSL3G芯片的高效率、高可靠性以及低噪声性能使其成为理想的选择。 其次
标题:onsemi安森美NGB8206ANT4G芯片:IGBT技术与应用详解 onsemi安森美NGB8206ANT4G芯片是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管),其出色的性能在电力电子应用领域中得到了广泛的应用。这款芯片具有20A的电流容量和390V的电压规格,适用于各种高功率转换和调节系统。 技术特点: 1. 高压、高速开关特性:NGB8206ANT4G芯片的开关速度非常快,这使得它非常适合用于高频电源转换和逆变器应用。 2. 优秀的热性能:由于其高电流容量和电压规格,NGB8206A
标题:onsemi安森美NGB8207ABNT4G芯片:绝缘栅双极技术及应用详解 onsemi安森美NGB8207ABNT4G是一款高性能的绝缘栅双极技术(IGBT)芯片,它集成了先进的电子和晶体管技术,具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关等特性,广泛应用于各种电子设备中。 在技术方面,NGB8207ABNT4G芯片采用了先进的工艺技术,具有极低的导通电阻,能够有效地降低功耗,提高设备的效率。同时,其快速开关特性使得芯片能够在极短的时间内完成导通和截止,大大提高了系统的响应速度。此外,该芯片还
标题:onsemi安森美MGP4N60E芯片IGBT,6A,600V,N-CHANNEL的技术与应用介绍 onsemi安森美MGP4N60E芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),适用于各种应用领域,包括电源转换、电机驱动、太阳能逆变器和车载充电等。该芯片具有6A,600V的规格,采用N-CHANNEL设计,具有出色的热性能和可靠性。 技术特点: MGP4N60E采用先进的N-CHANNEL技术,具有优异的热性能和开关速度。其内部结构包括一个高耐压的N-channel功率MOSFET和