JST(杰世腾)日本连接器全系列-亿配芯城-JST(杰世腾)日本连接器
你的位置:JST(杰世腾)日本连接器全系列-亿配芯城 > 话题标签 > 芯科

芯科 相关话题

TOPIC

标题:Walsin华新科0603B122K500CT电容CAP CER 1200PF 50V X7R的技术和方案应用介绍 Walsin华新科0603B122K500CT电容,以其独特的规格和性能,在电子设备中发挥着重要的作用。这款电容的容量为1200PF,耐压值为50V,介质为X7R,封装为0603,具有优良的电气性能和稳定性。 首先,我们来了解一下X7R介质的特性。X7R是一种温度特性较好、耐电压高、耐电容量范围广的介质材料。它能在较大的温度范围内保持恒定的电容值,这对于确保电子设备的稳定运
标题:Silicon Labs芯科C8051F311-GMR芯片IC MCU的技术与方案应用介绍 Silicon Labs芯科的C8051F311-GMR芯片IC是一款功能强大的8位MCU,采用8BIT技术,具备强大的处理能力和高效的性能。它拥有16KB的FLASH存储空间,能够存储大量的程序代码和数据,使得应用开发更加便捷。 该芯片IC采用了28QFN封装,具有优良的电气性能和散热性能,适用于各种复杂的应用场景。在技术方面,C8051F311-GMR芯片IC采用了先进的微处理器技术,具有高速
标题:Walsin华新科0402N180J500CT电容CAP CER 18PF 50V C0G/NP0:技术与应用 Walsin华新科0402N180J500CT电容,以其独特的规格和性能,在电子设备中发挥着至关重要的作用。这种电容的型号参数表明了其电容值为18PF,工作电压为50V,并且采用了C0G/NP0的封装形式。本文将深入探讨这种电容的技术特点和方案应用。 首先,我们来了解一下Walsin华新科0402N180J500CT电容的技术特点。C0G/NP0是电容的一种封装形式,具有高稳定
标题:Walsin华新科0603B683K160CT电容CAP CER 0.068UF 16V X7R的技术和方案应用介绍 Walsin华新科0603B683K160CT电容,是一种采用先进技术和材料制成的电子元器件。它的具体参数包括:额定电压为16V,电容容量为0.068UF,耐压为X7R,尺寸为0603。这种电容在许多电子设备和系统中都有着广泛的应用。 首先,我们来了解一下X7R材料的特点。X7R是一种温度系数低、耐电晕、耐老化等优点的材料,适用于高低温环境下的各种电路中。因此,Walsi
标题:Silicon Labs芯科C8051F520-C-IM芯片IC MCU:8BIT 8KB FLASH 10DFN技术应用介绍 Silicon Labs芯科的C8051F520-C-IM芯片IC是一款功能强大的8位MCU,采用10DFN封装,具有8KB的闪存空间。这款芯片以其卓越的性能和出色的技术特性,在众多应用领域中发挥着重要作用。 首先,C8051F520-C-IM的8位CPU内核提供了强大的数据处理能力,使其在各种嵌入式系统应用中表现出色。其次,8KB的闪存空间为开发者提供了足够的
标题:Walsin华新科0402N3R0C500CT电容CAP CER 3PF 50V C0G/NP0 0402的技术和方案应用介绍 Walsin华新科0402N3R0C500CT电容,是一款具有高可靠性、高耐压、高储能的精密电容。其容量为3PF,工作电压为50V,属于C0G/NP0封装类型,尺寸为0402。这款电容在众多电子设备中发挥着不可或缺的作用,特别是在通讯设备、计算机、消费电子、工业控制等应用领域。 首先,我们来了解一下Walsin华新科0402N3R0C500CT电容的基本技术参数
标题:Walsin华新科0603N301J500CT电容CAP CER 300PF 50V C0G/NP0 0603技术与应用介绍 Walsin华新科0603N301J500CT电容,是一种广泛应用于电子设备中的关键元件。其规格为300PF,工作电压为50V,属于C0G/NP0封装类型,尺寸为0603。这种电容在各种技术方案中发挥着重要作用,下面我们就来详细介绍其技术和应用。 一、技术特点 Walsin华新科0603N301J500CT电容的技术特点主要包括高容量、低ESR、高稳定性以及小尺寸
Silicon Labs芯科EFM32TG11B520F128GQ80-B芯片IC MCU技术与应用介绍 Silicon Labs芯科的EFM32TG11B520F128GQ80-B芯片IC是一款功能强大的32位MCU,采用最新的技术,具有出色的性能和丰富的功能。该芯片IC具有128KB的FLASH存储空间和80个引脚的小型QFP封装,适用于各种嵌入式系统的应用。 EFM32TG11B520F128GQ80-B芯片IC采用了高性能的32位ARM Cortex-M33内核,主频高达84MHz,处
标题:Walsin华新科0603N821J500CT电容CAP CER 820PF 50V C0G/NP0 0603的技术和方案应用介绍 Walsin华新科0603N821J500CT电容CAP CER 820PF 50V C0G/NP0 0603是一种广泛使用的电子元器件,具有独特的技术和方案应用。 首先,我们来了解一下Walsin华新科0603N821J500CT电容的基本特性。它采用C0G/NP0封装,容量为820PF,工作电压为50V。这种电容具有高稳定性、低ESR、低漏电流和长寿命等
标题:Walsin华新科0402N200J500CT电容CAP CER 20PF 50V C0G/NP0的0402封装技术与应用介绍 Walsin华新科0402N200J500CT电容,一种具有CER(陶瓷)电容器的特殊型号,以其独特的性能和封装形式在电子设备中发挥着重要作用。本文将深入探讨这种电容的技术和方案应用。 首先,我们来了解一下Walsin华新科电容的基本参数。该电容的容量为20PF,工作电压为50V,并且采用C0G/NP0的封装形式。这种电容具有高稳定性、低电感、低热稳定性等优点,