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Toshiba 2SK3075(TE12L,Q)
发布日期:2024-01-10 16:20     点击次数:151

2SK3075(TE12L,Q)

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编号:

757-2SK3075TE12LQ

制造商编号:

2SK3075(TE12L,Q)

制造商:

Toshiba

Toshiba

客户编号:

说明:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS

数据表:

2SK3075(TE12L,Q) 数据表 (PDF)

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剪切带

eel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价

总价

剪切带/eel™ † 1 ¥52.319 ¥52.32 10 ¥43.9344 ¥439.34 25 ¥41.4936 ¥1,037.34 100 ¥35.5498 ¥3,554.98 250 ¥33.6062 ¥8,401.55 500 ¥31.5722 ¥15,786.10 整卷卷轴(请按1000的倍数订购) 1,000 ¥27.007 ¥27,007.00 2,000 ¥25.3798 ¥50,759.60 5,000 报价

† ¥15.00 eel™费将被加上并在购物车计算。所有eel™订单均不可撤消和退回。 ↩

× 包装选择

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剪切带

产品从完整卷轴带切割成定制数量。


eel™ (添加 ¥15.00 卷轴费)

按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。


完整卷轴

订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴,请按1000的倍数订购。


卷轴和剪切带

以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。


卷轴和eel™ (添加 ¥15.00 卷轴费)

以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。

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规格

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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Toshiba 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS:  详细信息 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 5 A Vds-漏源极击穿电压: 30 V Rds On-漏源导通电阻: - 工作频率: 520 MHz 增益: 11.7 dB 输出功率: 7.5 W 最小工作温度: - 最大工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PW-X-4 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: eel 商标: Toshiba 配置: Single Pd-功率耗散: 20 W 产品类型: RF MOSFET Transistors 系列: 2SK3075 工厂包装数量: 工厂包装数量: 1000 子类别: MOSFETs 类型: RF Power MOSFET Vgs - 栅极-源极电压: 25 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V 单位重量: 300 mg

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产品合规性

CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8541210000 USHTS: 8541210075 JPHTS: 8541210101 KRHTS: 8541219000 TARIC: 8541210000 MXHTS: 85412101 ECCN: EAR99

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图像 制造商零件编号 描述 库存 Schurter 3-144-632

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